图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供HGT1S3N60B3S由Harris设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGT1S3N60B3S价格参考。HarrisHGT1S3N60B3S封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HGT1S3N60B3S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HGT1S3N60B3S 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HGT1S3N60B3S 是 Harris Corp.(现已被 L3 Technologies 收购,相关产品线后由 Microchip 等厂商承接)推出的一款高压、高速 IGBT 单管(带反并联快恢复二极管),额定电压 600 V,典型电流 3 A(连续),采用 TO-220AB 封装,内置优化的栅极驱动兼容性与低开关损耗设计。 其主要应用场景包括: 1. 中小功率开关电源:如通信电源、工业适配器、LED 驱动电源中的 PFC(功率因数校正)电路或主功率开关; 2. 电机控制:适用于 100–500 W 级无刷直流(BLDC)电机驱动、家用电器(如变频空调压缩机、洗衣机驱动)及小型工业风机/泵的逆变模块; 3. 感应加热设备:在中频(20–100 kHz)电磁炉、小型加热控制器中作为主开关器件; 4. UPS 与逆变器:用于后备式/在线式 UPS 的 DC-AC 逆变级,以及太阳能微逆变器的辅助功率级; 5. 电焊机与电子负载:在高频逆变焊机的主回路及可编程电子负载的功率调节单元中提供可靠开关性能。 该器件具备良好的雪崩耐受能力、低导通压降(VCE(sat) ≈ 1.8 V @ IC = 3 A)和快速关断特性(tf ≈ 100 ns),适合硬开关应用。需注意其栅极阈值电压(VGE(th) ≈ 4.5 V)和推荐驱动电压(+15 V / –5 V)以确保可靠开通与抗干扰关断。实际应用中建议配合RC缓冲电路与合理PCB布局,以抑制电压尖峰与EMI。