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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供HGT1S20N36G3VLS由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGT1S20N36G3VLS价格参考。Fairchild SemiconductorHGT1S20N36G3VLS封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载HGT1S20N36G3VLS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有HGT1S20N36G3VLS 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HGT1S20N36G3VLS 是安森美(ON Semiconductor)推出的高压、高速IGBT(绝缘栅双极型晶体管),采用TO-247-3L封装,额定电压3600 V,连续集电极电流20 A,具备低导通压降(VCE(sat) ≈ 2.5 V @ IC=20A)和优化的开关特性,内置反并联快恢复二极管(FRD),支持高dv/dt耐受能力。 该器件主要面向中高压、中功率工业与能源应用,典型应用场景包括: ✅ 高压直流输电(HVDC)换流阀中的辅助开关或旁路单元; ✅ 固态断路器(SSCB)及智能电网保护装置,利用其快速关断与高电压阻断能力实现毫秒级故障隔离; ✅ 大功率感应加热电源(如金属熔炼、热处理设备)的逆变桥臂开关; ✅ 轨道交通牵引变流器的辅助电源或制动能量回馈模块; ✅ 新能源领域:光伏集中式逆变器的高压直流侧开关、风电变流器的网侧斩波/预充电电路。 其“G3VLS”后缀表明为第三代超低饱和压降与软开关优化设计,兼顾效率与EMI性能,适用于工作频率在1–20 kHz范围、需高可靠性与长期热稳定性的严苛工况。不适用于高频(>50 kHz)或低压小功率场景(如消费电子)。