【未分类_HGT1S12N60B3】封装/厂家_HGT1S12N60B3中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： HGT1S12N60B3
制造商： Harris
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供HGT1S12N60B3由Harris设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HGT1S12N60B3价格参考。HarrisHGT1S12N60B3封装/规格：未分类，暂无。您可以下载HGT1S12N60B3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HGT1S12N60B3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

HGT1S12N60B3 是 Harris Corp.（现已被 L3 Technologies 收购，相关功率半导体业务后由 Microchip 等承接）推出的一款高压超结 MOSFET（非 IGBT），属于单通道、600V、12A 的快速开关功率晶体管。其典型应用场景聚焦于高效率、高频开关的中等功率电力电子系统，包括：

- 开关电源（SMPS）：广泛用于服务器/通信电源、工业 AC-DC 模块及适配器中，作为主开关管，凭借低导通电阻（Rds(on) ≈ 0.55Ω）和优化的体二极管特性，提升转换效率与轻载性能。

- PFC（功率因数校正）电路：尤其适用于连续导通模式（CCM）升压 PFC，其快速开关（tₐₙ ≈ 25ns）、低反向恢复电荷（Qrr）和软恢复体二极管可显著降低开关损耗与 EMI。

- LED 驱动电源：在高可靠性户外/工业 LED 驱动器中，支持宽输入电压范围与恒流输出，兼顾效率与热稳定性。

- 逆变器与电机驱动辅助电路：虽非主逆变桥器件（因额定电流有限），但常用于辅助电源、栅极驱动供电或小功率风机/泵类控制模块。

需注意：该器件为N沟道增强型MOSFET（非IGBT），不适用于大电流低频硬开关场景；设计时应重视PCB布局、驱动能力（推荐12–15V栅极电压）及散热（TO-247封装需良好散热器）。实际应用中建议参考Microchip（继承Harris功率器件线）官方数据手册与参考设计。

产品参数图文手册常见问题