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  • 型号: FQP3N50CTF
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQP3N50CTF由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP3N50CTF价格参考。Fairchild SemiconductorFQP3N50CTF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQP3N50CTF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQP3N50CTF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQP3N50CTF 是安森美(onsemi)出品的 N 沟道增强型功率 MOSFET 单管(非阵列),需特别澄清:其封装为 TO-220F,属单颗晶体管,并非“MOSFET 阵列”;分类中“晶体管 - FET,MOSFET - 阵列”与该型号不符,可能为平台误标或选型混淆。

FQP3N50CTF 主要参数:耐压 500 V,连续漏极电流 3.0 A(Tc=25℃),Rds(on) 典型值 3.6 Ω,具备快速开关特性和内置续流二极管。适用于中等功率、高电压直流控制场景,典型应用包括:

- 小功率开关电源(如辅助电源、LED驱动电源)中的初级侧开关;
- 离线式 AC-DC 变换器(<75 W)的主开关管;
- 直流电机调速/启停控制(如小型风机、泵类设备);
- 电池供电设备的电源通断管理(如UPS后备电源、电子断路器);
- 工业控制中的继电器替代方案(固态开关)、PLC 输出模块驱动级。

注意:因 Rds(on) 较高、电流能力有限,不适用于大电流或高频(>100 kHz)场合;实际使用需配合适当散热与栅极驱动设计,避免热失效。建议确认型号准确性——若确需“MOSFET 阵列”,可考虑如 NDS8410(双N沟道)、Si4946BDY(双N+双P)等真正集成阵列器件。
产品参数 图文手册 常见问题
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