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- 型号： FQI4N20LTU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQI4N20LTU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQI4N20LTU价格参考。Fairchild SemiconductorFQI4N20LTU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQI4N20LTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQI4N20LTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQI4N20LTU 是 Fairchild（现属onsemi）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220F（绝缘封装）或TO-220（具体以后缀TU为准，通常为TO-220直插封装），额定参数为：VDS = 200 V，ID（连续）= 4.0 A，RDS(on) ≈ 1.8 Ω（典型值，VGS = 10 V），具备快速开关特性与内置体二极管。 其典型应用场景包括： ✅ 中小功率开关电源：如AC-DC适配器、LED驱动电源中的主开关管或同步整流管（需配合控制器）； ✅ 电机控制电路：用于直流有刷电机（≤200W）、步进电机驱动的H桥下臂/单路驱动，适用于家电（如风扇、水泵）、电动工具等； ✅ 逆变与DC-AC模块：在低频（<50 kHz）离线式逆变器中作功率开关，如太阳能小功率微逆、UPS后备电源； ✅ 电子负载与电源保护：用于过流/过压保护电路中的电子保险丝（eFuse）或热插拔控制器的后级开关； ✅ 工业控制接口：PLC数字输出模块、继电器替代方案，驱动电磁阀、小型螺线管等感性负载（需外加续流二极管）。 该器件成本低、可靠性高、驱动简单（标准逻辑电平兼容），但因RDS(on)相对较高，不适用于大电流或高频（>100 kHz）高效应用。设计时需注意散热（建议加散热片）、栅极驱动稳定性（避免振荡）及感性负载下的电压尖峰抑制。 （注：“品牌为-”应为信息缺失，实际品牌为onsemi/Fairchild）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 3.8A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FQI4N20LTU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 310pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.2nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.35 欧姆 @ 1.9A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.8A （Tc） |
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