Datasheet下载- 型号： FQI3N90TU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQI3N90TU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQI3N90TU价格参考。Fairchild SemiconductorFQI3N90TU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQI3N90TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQI3N90TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQI3N90TU 是安森美（ON Semiconductor）推出的高压N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220F封装，额定电压900V，连续漏极电流3A（Tc=25℃），Rds(on)典型值为4.5Ω，具备快速开关特性与内置ESD保护。 其主要应用场景包括： 1. 离线式开关电源（SMPS）：适用于AC-DC适配器、LED驱动电源、家电辅助电源等中低功率（<100W）高压输入场合，可作为主开关管或PFC升压开关； 2. LED照明驱动：在隔离/非隔离式恒流LED驱动电路中，用于反激（Flyback）或降压-升压（Buck-Boost）拓扑的高压侧开关； 3. 工业控制与电机驱动：适用于小功率无刷直流（BLDC）电机控制中的高压半桥上管，或继电器/电磁阀驱动电路； 4. 家电与白色家电：如微波炉、空调室内机、洗衣机控制板中的高压负载开关和电源管理模块； 5. 通用高压开关应用：如电池管理系统（BMS）高压侧保护、电表电源、HVAC控制等对耐压和可靠性要求较高的场景。 该器件凭借高击穿电压、良好的雪崩耐受能力（UIS Rated）及符合RoHS的环保封装，适用于需长期稳定运行、抗浪涌能力强的工业及消费类设备。注意实际使用时需合理设计驱动电路、散热结构及PCB布局，确保结温不超过150℃。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 900V 3.6A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FQI3N90TU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 910pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.25 欧姆 @ 1.8A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 900V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.6A （Tc） |
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