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- 型号： FQI3N80TU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQI3N80TU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQI3N80TU价格参考。Fairchild SemiconductorFQI3N80TU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQI3N80TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQI3N80TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQI3N80TU 是 Fairchild（现属onsemi）推出的800V、3A N沟道增强型高压MOSFET，采用TO-220F（绝缘封装）或TO-220（非绝缘）封装，具备低栅极电荷（Qg ≈ 12nC）、典型Rds(on)为4.5Ω（Vgs=10V），并集成快速恢复体二极管。 其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：适用于AC-DC适配器、LED驱动电源、PC/服务器辅助电源等中功率离线式反激（Flyback）或缓冲式正激（Forward）拓扑，承担主开关功能； 2. LED照明驱动：在隔离型LED恒流驱动电路中，作为高频开关器件，支持宽输入电压范围（如85–265V AC）和高效率调光控制； 3. 工业控制与家电电源：用于电机驱动的辅助电源、PLC电源模块、电磁炉/微波炉的高压侧控制电路等需耐压高、可靠性强的场合； 4. 逆变器与UPS系统：在小功率在线式/后备式UPS的DC-AC逆变级或电池管理单元中，用作DC母线开关或同步整流辅助开关。 该器件强调高雪崩耐量（UIS）、良好的dv/dt抗扰性及热稳定性，适合对安全性和长期运行可靠性要求较高的工业及消费类电子设备。注意设计时需合理布局散热（建议加装散热片）、优化驱动电路（避免米勒平台误开通），并确保Vgs不超过±30V。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 3A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FQI3N80TU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 690pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5 欧姆 @ 1.5A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3A （Tc） |
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