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- 型号： FQI32N12V2TU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQI32N12V2TU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQI32N12V2TU价格参考。Fairchild SemiconductorFQI32N12V2TU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQI32N12V2TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQI32N12V2TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQI32N12V2TU 是 Fairchild（现属onsemi）推出的N沟道增强型高压MOSFET，采用TO-220F封装，具有120V耐压、32A连续漏极电流（Tc=25°C）、低导通电阻（Rds(on)典型值为45mΩ）及快速开关特性。其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于AC-DC适配器、PC ATX电源、LED驱动电源等的主开关管或同步整流管，兼顾效率与热管理； 2. DC-DC转换器：在工业/通信设备的中功率降压（Buck）或半桥拓扑中，承担高频开关任务； 3. 电机控制：适用于中小功率无刷直流（BLDC）电机驱动、风扇/泵类负载的H桥或三相逆变模块； 4. 照明电子镇流器与智能LED驱动：支持调光（PWM/模拟）和高可靠性要求场景； 5. 工业控制与电源保护电路：如电子保险丝、热插拔控制器、过流保护开关等。 该器件内置ESD保护与雪崩额定能力（UIS），具备较强鲁棒性，适合对可靠性与能效有要求的中高功率应用。注意需配合合理散热设计（如加装散热片）及驱动电路（推荐10–15V栅极驱动电压），以充分发挥性能并确保长期稳定运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 120V 32A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FQI32N12V2TU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1860pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 53nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 50 毫欧 @ 16A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 功率-最大值 | 3.75W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 120V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 32A （Tc） |
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