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- 型号： FQI2N90TU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQI2N90TU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQI2N90TU价格参考。Fairchild SemiconductorFQI2N90TU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQI2N90TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQI2N90TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQI2N90TU 是 Fairchild（现属onsemi）推出的高压N沟道增强型MOSFET，主要特点包括：900V耐压、2A连续漏极电流（ID）、低栅极电荷（Qg≈14nC）、RDS(on)典型值为5.5Ω（VGS=10V），采用TO-220F（绝缘型直插封装）。 其典型应用场景包括： ✅ 开关电源（SMPS）：适用于AC-DC适配器、LED驱动电源、PC电源的PFC（功率因数校正）级或主功率开关，尤其适合反激式（Flyback）和准谐振（QR）拓扑中对高压、中等电流有要求的场合。 ✅ 工业控制与电机驱动：用于小功率无刷直流（BLDC）电机控制器、继电器/电磁阀驱动电路中的高压侧开关。 ✅ 家电与白色家电：如空调、洗衣机中的压缩机驱动辅助电路、高压隔离控制模块。 ✅ 照明系统：LED路灯、工矿灯等高可靠性离线式恒流驱动方案中的主开关器件。 该器件具备良好的雪崩耐受能力（UIS额定），增强了系统鲁棒性；TO-220F封装带绝缘底板，便于直接安装于散热器且无需额外绝缘垫片，简化热设计。需注意：实际应用中应合理设计驱动电路（确保10V以上充分导通）、预留足够电压裕量（建议工作电压≤70% VDSS），并加强散热（结温须≤150℃）。 综上，FQI2N90TU适用于中等功率、高输入电压（如85–265V AC整流后高压母线）、对可靠性与成本有平衡要求的工业及消费类电源系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 900V 2.2A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FQI2N90TU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 500pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.2 欧姆 @ 1.1A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 900V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.2A （Tc） |
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