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  • 型号: FQB6N90TM
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQB6N90TM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB6N90TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB6N90TM封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQB6N90TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQB6N90TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQB6N90TM 是安森美(ON Semiconductor)推出的N沟道增强型高压功率MOSFET,额定电压900V、连续漏极电流6A(Tc=25℃),采用TO-263(D²PAK)表面贴装封装,具备低导通电阻(Rds(on)典型值1.2Ω)、快速开关特性及良好的雪崩耐受能力。

其主要应用场景包括:  
1. 开关电源(SMPS):适用于AC-DC适配器、PC电源、工业电源等中的主开关管或PFC(功率因数校正)升压开关,尤其适合85–265V宽范围输入的高效率、高可靠性设计。  
2. 照明电子镇流器与LED驱动电源:在高频隔离/非隔离LED恒流驱动中承担高频斩波功能,满足高电压隔离与能效要求(如Class II、UL认证设计)。  
3. 电机控制:用于中小功率(<500W)永磁同步电机(PMSM)或BLDC电机的逆变桥上管,配合驱动IC实现高效换相(需注意栅极驱动电压与负压关断设计)。  
4. 工业控制与电源模块:如PLC电源、继电器替代电路、电弧焊设备辅助电源等需高压隔离和可靠开关的场合。

该器件不适用于线性放大或低频大电流连续导通场景(易过热),推荐工作结温≤150℃,须配合合理散热设计(如覆铜面积≥4cm²)及RC缓冲电路抑制电压尖峰。其高BVdss与鲁棒性使其在雷击、浪涌等严苛电网环境中表现稳定。
产品参数 图文手册 常见问题
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