Datasheet下载- 型号： FQB2N30TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB2N30TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB2N30TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB2N30TM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQB2N30TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQB2N30TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB2N30TM 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，额定电压300V，连续漏极电流约2.4A（Tc=25℃），采用TO-263（D²PAK）表面贴装封装，具备低导通电阻（Rds(on)典型值3.5Ω）、快速开关特性和良好的雪崩耐受能力。 其典型应用场景包括： 1. 离线式开关电源（SMPS）：如AC-DC适配器、LED驱动电源中的初级侧开关管（适用于反激式、降压式拓扑），尤其适合中低功率（<30W）场合； 2. 电机控制：用于小型直流电机、步进电机或风扇的H桥/单管驱动电路，实现PWM调速与启停控制； 3. 电源管理模块：如电子负载、电池保护板、DC-DC转换器中的同步整流或高压侧开关； 4. 工业控制与家电：在继电器替代、固态开关、智能插座、电表电源等对可靠性与成本敏感的中压小电流应用中广泛使用。 该器件强调高电压耐受性与热稳定性，适用于工作环境温度较高、需长期可靠运行的工业及消费类设备。需注意：实际设计中应配合合理驱动电路（避免米勒效应误导通）、散热设计（建议加散热片）及过压/过流保护措施。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 300V 2.1A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQB2N30TM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 130pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.7 欧姆 @ 1.05A，10V |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 功率-最大值 | 3.13W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 300V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.1A （Tc） |
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