图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： FQAF10N80
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQAF10N80由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQAF10N80价格参考。Fairchild SemiconductorFQAF10N80封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQAF10N80参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQAF10N80 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQAF10N80 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款高压N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-3PF封装，具有800V耐压、10A连续漏极电流（Tc=25℃）、低导通电阻（Rds(on)典型值1.3Ω）及快速开关特性。其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于AC-DC适配器、PC电源、LED驱动电源等中的主开关管，尤其适用于反激式（Flyback）和正激式（Forward）拓扑的高压侧开关。 2. 电机控制：适用于中小功率工业电机驱动、风扇/泵类家电控制器中的H桥或单管驱动电路，支持PWM调速与高效能量转换。 3. 照明电子镇流器与智能LED驱动：在高压LED恒流驱动方案中作为功率开关，配合控制器实现高效率、低EMI的调光与保护功能。 4. UPS与逆变器：在后备式不间断电源及小功率DC-AC逆变模块中承担DC母线开关或半桥上管角色。 5. 电磁加热与感应加热控制电路：满足高频（数十kHz级）、高电压应力下的可靠开关需求。 该器件内置快速恢复体二极管，具备良好的雪崩耐受能力（UIS额定），并支持10V标准栅极驱动，兼容主流PWM控制器。其TO-3PF封装利于散热，适用于中等功率（约100–500W）工业及消费类电源系统。需注意合理设计栅极驱动、散热与过压/过流保护以确保长期可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 6.7A TO-3PF |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FQAF10N80 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2700pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 71nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.05 欧姆 @ 3.35A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-3PF |
| 功率-最大值 | 113W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | SC-94 |
| 标准包装 | 360 |
| 漏源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.7A （Tc） |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
FQAF10N80 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商