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型号： FK18C0G1H2R2CN006
制造商： TDK
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FK18C0G1H2R2CN006由TDK设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FK18C0G1H2R2CN006价格参考。TDKFK18C0G1H2R2CN006封装/规格：未分类，暂无。您可以下载FK18C0G1H2R2CN006参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FK18C0G1H2R2CN006 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

该型号“FK18C0G1H2R2CN006”为村田（Murata）原厂生产的多层陶瓷电容器（MLCC），属“-”品牌（即无独立子品牌，归于Murata主品牌下）。其参数解析如下：  
- 封装尺寸：0603（1.6×0.8 mm）；  
- 介质类型：C0G（NP0），具有极佳的温度稳定性（±30 ppm/℃）、低介电损耗及高Q值；  
- 额定电压：50 V（“1H”代码）；  
- 标称容量：2.2 pF（“2R2”表示2.2 pF）；  
- 容差：±0.25 pF（“C”代码）；  
- 包装与端接：镍障层+锡镀层，符合RoHS，适用于回流焊。  

典型应用场景包括：  
1. 高频滤波与匹配电路：如5G射频前端、Wi-Fi 6/7模块中的阻抗匹配网络、天线调谐电路，利用其超小容量与C0G的低损耗特性稳定高频性能；  
2. 精密振荡器与时钟电路：在晶体振荡器（XO）负载电容网络中，提供高稳定性微调电容，保障频率精度与长期可靠性；  
3. 高速数字接口旁路：用于SerDes、PCIe或USB 3.x接收端的高频去耦，抑制GHz级噪声；  
4. 测试测量设备：在矢量网络分析仪（VNA）校准件或探头补偿电路中，作为标准参考电容元件。  

因其容量极小、温漂近乎为零、ESR极低，不适用于电源滤波或大电流场景，而专精于对精度、稳定性和高频响应要求严苛的模拟与射频电路。

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