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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FK18C0G1H080DN006由TDK设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FK18C0G1H080DN006价格参考。TDKFK18C0G1H080DN006封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FK18C0G1H080DN006参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FK18C0G1H080DN006 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
该型号“FK18C0G1H080DN006”为村田(Murata)品牌(注:“-”应为品牌信息缺失或误填,实际该型号属Murata标准编码体系),属于多层陶瓷电容器(MLCC),具体参数解析如下: - “C0G”表示I类温度特性(NP0),具有极高的稳定性(±30ppm/℃)、低损耗(DF<0.1%)、优异的频率与电压特性; - “1H”额定电压为50V(1H=50V); - “080”即尺寸为0805英寸(2.0×1.25mm); - “D”代表容差±0.5pF,“N006”对应标称容量0.6pF(N=0.6pF,按EIA标准编码)。 典型应用场景包括: 1. 高频谐振与匹配电路:如射频前端(RF PA、LNA)、天线调谐、VCO谐振回路,利用其超低ESR/ESL和C0G的高Q值特性; 2. 精密定时与滤波:在高精度振荡器(如TCXO基准旁路)、ADC/DAC参考电压去耦、高速时钟信号滤波中保障相位稳定性和信噪比; 3. 医疗与测试设备:超声成像接收通道、频谱分析仪输入级等对容值漂移和非线性失真极为敏感的模拟前端。 因其0.6pF小容量与C0G材质,不适用于电源去耦或大电流场景,核心价值在于高频下的容值恒定性与极低介电吸收,适用于要求严苛的信号完整性与频率稳定性场合。