Datasheet下载- 型号： FJV3112RMTF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJV3112RMTF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJV3112RMTF价格参考。Fairchild SemiconductorFJV3112RMTF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FJV3112RMTF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJV3112RMTF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJV3112RMTF 是安森美（ON Semiconductor）推出的预偏置NPN型双极结型晶体管（BRT），内置基极-发射极和基极-电阻网络（典型配置：R1=10kΩ，R2=10kΩ），无需外部偏置电阻，简化电路设计。其主要应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与驱动：常用于微控制器（如STM32、ESP32）GPIO口驱动中小功率负载（LED、继电器线圈、小型蜂鸣器），实现TTL/CMOS电平到较高电流输出的接口转换。 2. 开关应用：凭借低饱和压降（VCE(sat) ≈ 0.15V @ IC=50mA）、快速开关特性（ton/toff 约数十纳秒）及高直流电流增益（hFE≈160@IC=5mA），适用于中低频（≤100kHz）开关控制，如电源使能（EN）信号调理、负载开关。 3. 传感器/通信接口缓冲：在光电耦合器输出侧、霍尔传感器或RS-232电平转换后作电流放大缓冲，提升驱动能力与抗干扰性。 4. 消费电子与工业控制板：广泛应用于打印机、家电主控板、智能电表、LED照明驱动模块等空间受限、需高可靠性与BOM精简的场景。 该器件采用SOT-23封装，支持表面贴装，工作结温范围-55℃~+150℃，具备良好的ESD防护（HBM ≥2kV），适合批量自动化生产。注意：不适用于线性放大或高频射频应用，亦不可替代功率MOSFET驱动大电流负载。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FJV3112RMTF |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 1mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
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