Datasheet下载- 型号： FJNS4211RBU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJNS4211RBU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJNS4211RBU价格参考。Fairchild SemiconductorFJNS4211RBU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FJNS4211RBU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJNS4211RBU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJNS4211RBU 是安森美（ON Semiconductor）推出的预偏置NPN型双极结型晶体管（BJT），采用SOT-363（SC-70-6）小型封装，内置基极-发射极和基极-集电极电阻网络（典型为R₁=10kΩ, R₂=10kΩ），无需外部偏置电阻，简化电路设计。 其主要应用场景包括： 1. 数字逻辑接口与电平转换：常用于微控制器（MCU）、FPGA或逻辑IC驱动LED、继电器、小功率MOSFET等负载，实现TTL/CMOS信号到更高电流/电压的转换； 2. 开关应用：作为高速、低功耗开关，适用于便携式设备中的电源管理、背光控制、按键检测等； 3. 传感器信号调理：在低功耗传感节点中用作光电二极管、霍尔传感器等弱信号的简单放大或开关缓冲； 4. 电池供电设备：得益于低输入驱动电流（典型IB≈0.3mA @ VIN=5V）和低饱和压降（VCE(sat)≈0.15V @ IC=10mA），适合IoT终端、可穿戴设备及遥控器等对功耗和空间敏感的应用。 该器件具备±5kV HBM ESD防护（符合JEDEC JS-001），增强系统鲁棒性；工作温度范围-55°C~+150°C，适用于工业与汽车电子辅助电路（非安全关键路径）。需注意其最大集电极电流为100mA（连续），不适用于大功率驱动。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FJNS4211RBU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 1mA，5V |
| 供应商器件封装 | TO-92S |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3，TO-92-3 短体 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | 200MHz |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
FJNS4211RBU 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商