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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FJNS4201RTA由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJNS4201RTA价格参考。Fairchild SemiconductorFJNS4201RTA封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FJNS4201RTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FJNS4201RTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJNS4201RTA 是安森美(ON Semiconductor)推出的预偏置NPN型双极结型晶体管(BJT),内置基极-发射极和基极-集电极电阻(典型配置为R1=10kΩ,R2=10kΩ),采用SOT-523超小型封装。其主要应用场景包括: 1. 数字逻辑接口与电平转换:常用于微控制器(MCU)、FPGA或DSP的I/O口驱动,实现3.3V/5V系统与外部负载(如LED、继电器、小功率MOSFET栅极)之间的信号缓冲与电平适配,简化外围偏置电路设计。 2. LED驱动与指示电路:适用于低电流(IC≤100mA)LED开关控制,凭借内置电阻免去外置基极电阻,节省PCB面积,提升可靠性,广泛用于消费电子、家电面板及工业状态指示。 3. 开关电源辅助电路:在AC-DC或DC-DC电源中用作使能控制、反馈信号隔离、欠压锁定(UVLO)或待机模式切换等低压侧开关功能。 4. 传感器信号调理前端:配合光耦、霍尔传感器等输出开路集电极(OC)信号的器件,作为简易反相器或电平整形单元,增强抗干扰能力。 5. 电池供电设备的低功耗控制:因SOT-523封装尺寸小(1.6×1.6×0.8mm)、静态电流低,适用于可穿戴设备、IoT节点等对空间和功耗敏感的应用。 该器件不适用于线性放大或大电流/高功率场景,典型工作条件为VCE≤50V、IC≤100mA、fT≈250MHz,强调集成度、易用性与成本效益。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | FJNS4201RTA |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 500µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 20 @ 10mA,5V |
| 供应商器件封装 | TO-92S |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带盒(TB) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3,TO-92-3短身定形引线 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 4.7k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | 200MHz |