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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FJN3309RTA由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJN3309RTA价格参考。Fairchild SemiconductorFJN3309RTA封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FJN3309RTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FJN3309RTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJN3309RTA 是安森美(ON Semiconductor)推出的预偏置NPN型双极结型晶体管(BJT),内置基极-发射极和基极-集电极电阻(典型配置为R1=10kΩ,R2=10kΩ),无需外部偏置电路,简化设计并提升可靠性。其主要应用场景包括: - 数字逻辑接口与电平转换:常用于微控制器(MCU)、FPGA或DSP的I/O口驱动,将低电压逻辑信号(如3.3V/5V)安全、可靠地转换为更高电压或更大电流输出,驱动LED、继电器线圈、小型蜂鸣器等负载。 - 开关应用:凭借快速开关特性(fₜ ≈ 250 MHz)和低饱和压降(VCE(sat) ≈ 0.15V @ IC=10mA),适用于中低功率、高频开关场景,如电源使能控制、负载开关、LED背光控制等。 - 传感器信号调理与简单放大:在对增益精度要求不高的场合,可作为简易电流放大器或信号缓冲器,配合光电传感器、霍尔开关等实现信号整形与驱动。 - 消费电子与工业控制板:广泛应用于打印机、家电控制板、智能电表、IoT终端等空间受限、成本敏感且需高一致性的嵌入式系统中,得益于SOT-23小尺寸封装和预偏置带来的BOM精简与贴片良率提升。 该器件工作温度范围宽(–55°C 至 +150°C),具备良好ESD防护能力,适合工业及汽车后装环境。注意:不适用于线性放大或高精度模拟电路,亦非AEC-Q200认证器件,车规前装应用需选用专用型号。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | FJN3309RTA |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 1mA,10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 1mA,5V |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带盒(TB) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 40V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | 250MHz |