Datasheet下载- 型号： FJBE2150DTU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FJBE2150DTU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJBE2150DTU价格参考。Fairchild SemiconductorFJBE2150DTU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FJBE2150DTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FJBE2150DTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FJBE2150DTU 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款NPN型通用双极结型晶体管（BJT），采用SOT-23表面贴装封装，具有高电流增益（hFE典型值达300）、低饱和压降（VCE(sat)低至0.15V @ IC=100mA）和良好频率响应（fT约300MHz），适用于中低功率开关与线性放大场景。 典型应用场景包括： 1. 小信号开关控制：如微控制器GPIO驱动LED、继电器、小型电磁阀或逻辑电平转换电路； 2. 电源管理辅助电路：在DC-DC转换器或LDO中用作使能开关、基准偏置或电流检测放大级； 3. 传感器信号调理：配合光敏电阻、热敏电阻等模拟传感器，构成简易放大/比较前端； 4. 消费电子接口电路：手机、可穿戴设备、IoT模块中的电池保护、充电状态指示及负载切换； 5. 工业控制板卡：PLC输入缓冲、光电耦合器后级驱动、隔离信号恢复等。 其SOT-23封装节省空间，支持自动化贴片生产，且具备-55°C~+150°C宽温工作范围，兼顾可靠性与成本效益。需注意：该器件非功率型BJT，不适用于大电流（>200mA连续）或高压（VCEO=60V）主功率通路，设计时应留足安全裕量并合理配置基极限流电阻。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN 800V 2A D2-PAK-2L两极晶体管 - BJT ESBC Rated NPN Silicon Transistor |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor FJBE2150DTUESBC™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FJBE2150DTU |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 330mA， 1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 20 @ 400mA，3V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | TO-263-2 |
| 功率-最大值 | 110W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.880 g |
| 发射极-基极电压VEBO | 12 V |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 5 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 110 W |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最大直流电集电极电流 | 2 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 800V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 2A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100µA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 35 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 20 |
| 系列 | FJBE2150D |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 800 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 1.25 kV |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.25 V |
| 集电极连续电流 | 0.5 A |
| 频率-跃迁 | 5MHz |
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