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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FJ3P02100L由Panasonic Corporation设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FJ3P02100L价格参考。Panasonic CorporationFJ3P02100L封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FJ3P02100L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FJ3P02100L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P CH 20V 4.4A PMCPMOSFET 2.0x2.0mm PMCP Power MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 4.4 A |
| Id-连续漏极电流 | - 4.4 A |
| 品牌 | Panasonic Electronic Components - Semiconductor ProductsPanasonic |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Panasonic FJ3P02100L- |
| 数据手册 | http://industrial.panasonic.com/www-cgi/jvcr13pz.cgi?E+SC+4+CDK7001+FJ3P0210+8+WW |
| 产品型号 | FJ3P02100LFJ3P02100L |
| Pd-PowerDissipation | 300 mW |
| Pd-功率耗散 | 300 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 30 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 30 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 1.05 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1.05 V |
| 上升时间 | 1.9 us |
| 下降时间 | 3.9 us |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.05V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3000pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 12.5 毫欧 @ 3.7A, 4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 3-PMCP |
| 其它名称 | FJ3P02100LCT |
| 典型关闭延迟时间 | 6.5 us |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | Panasonic |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 3-SMD,非标准型 |
| 封装/箱体 | PMCP-3 2x2 |
| 工厂包装数量 | 7000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/panasonic-fj3p02100l-fk3p02110l-csp-mosfets/3419http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/panasonic-power-csp-mosfets/3285 |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.4A (Ta) |