【未分类_FF200R12MT4】封装/厂家_FF200R12MT4中文资料_价格

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型号： FF200R12MT4
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FF200R12MT4由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FF200R12MT4价格参考。InfineonFF200R12MT4封装/规格：未分类，暂无。您可以下载FF200R12MT4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FF200R12MT4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FF200R12MT4是英飞凌（Infineon Technologies）推出的1200V/200A双管IGBT模块（采用三电平NPC拓扑结构，内置反并联二极管及NTC温度传感器），广泛应用于中高压、中大功率的工业与能源变换场景。典型应用包括：  
- 变频驱动系统：如大型工业电机驱动（泵、风机、压缩机）、轨道交通牵引变流器（地铁、轻轨辅助系统或中小功率主变流单元）；  
- 可再生能源发电：光伏并网逆变器（集中式/组串式逆变器中的升压与逆变级）、风力发电变流器（双馈或全功率变流器的网侧/机侧模块）；  
- 不间断电源（UPS）：中大功率在线式UPS（100–500kVA）的逆变输出级，支持高效率、低谐波与快速动态响应；  
- 感应加热与焊接设备：高频、高可靠性的中频电源主回路，利用其低开关损耗与良好短路耐受能力；  
- 储能系统（ESS）双向变流器（PCS）：实现电池充放电能量高效双向转换，满足电网调峰、调频等需求。  

该模块采用第四代IGBT4芯片与EmCon HD二极管，具备低导通压降、优化的开关特性、高可靠性及增强的短路耐受时间（典型值≥6μs），配合Press-fit或螺栓安装方式，适用于对功率密度、热管理及长期运行稳定性要求较高的严苛工况。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
品牌	Infineon Technologies
产品目录	半导体
描述	IGBT 模块 IGBT-MODULE
产品分类	分离式半导体
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS
产品系列	晶体管,IGBT 模块,Infineon Technologies FF200R12MT4
产品型号	FF200R12MT4
产品	IGBT Silicon Modules
产品种类	IGBT 模块
功率耗散	1050 W
商标	Infineon Technologies
在25C的连续集电极电流	295 A
安装风格	Screw
封装/箱体	Econo D
工厂包装数量	14
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 40 C
栅极/发射极最大电压	+/- 20 V
栅极—射极漏泄电流	400 nA
配置	Dual
集电极—发射极最大电压VCEO	1200 V
集电极—射极饱和电压	2.15 V