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- 型号： FDW258P
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDW258P由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDW258P价格参考。Fairchild SemiconductorFDW258P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDW258P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDW258P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDW258P 是安森美（ON Semiconductor）推出的双P沟道逻辑电平增强型MOSFET，采用小型无引脚DFN-6（2×2 mm）封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅42 mΩ @ Vgs = –4.5 V）、快速开关特性及高功率密度。其主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、平板电脑、TWS耳机中的负载开关、电池保护电路和背光LED驱动，得益于其小尺寸、低功耗和逻辑电平兼容性（–1.8 V即可完全导通）。 2. DC-DC转换器与同步整流：常用于降压（Buck）转换器的下管或反相/双路输出拓扑中，提升转换效率，尤其适用于空间受限的POL（Point-of-Load）电源模块。 3. H桥电机驱动：作为双路P-MOS控制单元，配合外部N-MOS或驱动IC，用于微型直流电机（如摄像头对焦马达、风扇）的正反转与制动控制。 4. 热插拔与电源排序电路：利用其快速关断能力实现板级电源上电时序管理及过流保护功能。 需注意：FDW258P为P沟道器件，通常用于高侧开关或互补配置；实际应用中须确保栅极驱动电压满足逻辑电平要求，并注意DFN封装的散热设计（建议PCB铺铜散热）。不适用于高压（Vds = –20 V）或大电流（Id = –4.9 A连续）长期满载场景，宜留有余量。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 9A 8-TSSOP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDW258P |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5049pF @ 5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 73nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11 毫欧 @ 9A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
| 功率-最大值 | 600mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9A （Ta） |
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