Datasheet下载- 型号： FDU8882
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDU8882由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDU8882价格参考。Fairchild SemiconductorFDU8882封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDU8882参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDU8882 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDU8882 是安森美（ON Semiconductor）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用紧凑的 3×3 mm² WDFN-8 封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 1.8 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 100 A）和优异的热性能。其主要应用场景包括： - DC-DC 电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步降压（Buck）转换器，作为高侧或低侧开关，提升效率与功率密度； - 电机驱动：适用于中小功率 BLDC 电机控制器（如风扇、泵、电动工具），支持高频 PWM 驱动，降低开关损耗； - 负载开关与电源管理：在主板、GPU 供电、电池管理系统（BMS）中用作高效、快速响应的电源通断控制开关； - LED 驱动与照明电源：用于大电流 LED 恒流驱动电路的调光/开关控制环节； - 汽车电子辅助系统：满足 AEC-Q101 认证（FDU8882T7A 为车规版本），可用于车身控制模块（BCM）、座椅/车窗驱动、ADAS 供电等非安全关键车载应用。 该器件集成肖特基体二极管优化反向恢复特性，配合低栅极电荷（Qg ≈ 54 nC），利于高频高效运行；WDFN 封装支持双面散热，适合空间受限且需良好热管理的设计。注意实际应用中需合理设计驱动电路与PCB布局，以抑制振铃并确保可靠开关。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 55A I-PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDU8882 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1260pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 33nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11.5 毫欧 @ 35A，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 55W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 1,800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12.6A （Ta）， 55A （Tc） |
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