Datasheet下载- 型号： FDU8878
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDU8878由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDU8878价格参考。Fairchild SemiconductorFDU8878封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDU8878参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDU8878 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDU8878 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用紧凑的 SO-8 封装（带裸焊盘），具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 5.2 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 60 A）及优异的开关特性。 其典型应用场景包括： ✅ DC-DC 电源转换：广泛用于同步降压（Buck）转换器的主开关或同步整流管，尤其适用于服务器、通信设备及工业电源中的高效中间总线转换器（IBC）。 ✅ 电机驱动：适用于中小功率无刷直流（BLDC）电机控制模块、风扇驱动及电动工具中的H桥驱动电路，得益于其快速开关与低损耗特性。 ✅ 负载开关与热插拔保护：凭借低RDS(on)和内置ESD防护，常用于主板/背板上的电源轨智能开关、热插拔控制器后级功率开关。 ✅ LED 驱动电源：在高效率恒流LED驱动器中作为PWM调光开关或次级侧同步整流器件。 该器件支持逻辑电平驱动（VGS(th) 典型值2.2 V），可直接由MCU或驱动IC（如NCP302/303系列）控制；SO-8封装兼顾散热性与PCB布局密度，适合空间受限但需中等功率处理能力（≤100 W）的应用场景。 注意：实际设计中需配合合理栅极驱动、PCB热焊盘设计及过流/温度保护机制以确保长期可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 40A I-PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDU8878 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 880pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 15 毫欧 @ 35A，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 40W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11A （Ta）， 40A （Tc） |
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