Datasheet下载- 型号： FDS6694
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS6694由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS6694价格参考。Fairchild SemiconductorFDS6694封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDS6694参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDS6694 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDS6694 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款双N沟道逻辑电平增强型MOSFET，采用SO-8封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值为20 mΩ @ Vgs=4.5V）、快速开关特性及高雪崩耐量。其典型应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：广泛用于同步降压（Buck）转换器的下管（low-side switch），配合高端MOSFET或控制器（如NCP3120、NCP3020等），提升转换效率与功率密度，适用于笔记本电脑、服务器VRM、通信电源模块等。 2. 负载开关与电源管理：在便携设备（如平板、POS机）中用作电池供电路径切换、USB端口过流保护或系统级电源域隔离，支持逻辑电平驱动（3.3V/5V TTL兼容），简化驱动电路设计。 3. 电机驱动与H桥电路：作为中小功率直流电机（<10A）H桥中的低侧开关，用于智能家电、打印机、电动工具控制模块。 4. LED驱动与背光控制：用于PWM调光电路中的电流开关，实现高效恒流控制。 该器件具备100% EAS（单脉冲雪崩能量）额定值、无铅且符合RoHS标准，适合高可靠性、中等电流（连续ID达8.5A，脉冲ID达35A）、高频（≤1MHz）开关应用。需注意PCB布局热设计及栅极驱动稳定性以发挥最佳性能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDS6694 |
| PCN设计/规格 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1293pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11 毫欧 @ 12A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 功率-最大值 | 1.2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Ta） |
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