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  • 型号: FDP6035L
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDP6035L由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP6035L价格参考。Fairchild SemiconductorFDP6035L封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDP6035L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDP6035L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDP6035L 是安森美(ON Semiconductor)推出的一款N沟道逻辑电平增强型MOSFET,采用TO-252(DPAK)封装,具有低导通电阻(Rds(on)典型值为18mΩ @ Vgs=10V,35mΩ @ Vgs=4.5V)、高电流能力(ID=17A连续,脉冲达60A)及快速开关特性。其主要应用场景包括:

- DC-DC电源转换:广泛用于同步降压(Buck)转换器的下管(low-side switch),尤其适用于笔记本电脑、主板VRM、通信电源等中高功率、高效率场合;  
- 负载开关与电源管理:在便携设备、工业控制板中用作电池供电路径管理、热插拔保护或系统电源使能开关;  
- 电机驱动:适用于中小功率直流电机(如风扇、泵、小型伺服)的H桥或单路驱动电路,支持PWM调速;  
- LED驱动与照明控制:作为恒流源开关或调光MOSFET,用于智能照明模块及背光驱动;  
- 逆变器与辅助电源:在UPS、太阳能微逆变器等系统中承担隔离驱动、辅助电源开关等功能。

该器件具备逻辑电平驱动特性(Vgs(th)低至1–2.5V),可直接由MCU/ASIC的3.3V或5V GPIO驱动,简化外围电路;内置ESD保护与雪崩额定能力(EAS=140mJ),提升系统鲁棒性。需注意PCB布局散热设计(建议大面积铜箔散热)以保障持续大电流下的温升可控。
产品参数 图文手册 常见问题
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