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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMA1430JP由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMA1430JP价格参考。Fairchild SemiconductorFDMA1430JP封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDMA1430JP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMA1430JP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDMA1430JP是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款晶体管,属于特殊用途晶体管类别。它主要是一款双极性晶体管(BJT),具有良好的高频特性和快速开关性能。 该器件常用于以下应用场景: 1. 射频(RF)放大器:适用于无线通信设备中的射频信号放大,如基站、无线接入点等。 2. 高频开关电路:因其快速响应特性,适合用于高频开关电源或高频逆变器中。 3. 通信基础设施:如光纤通信、微波通信系统中,作为信号处理或功率放大的关键元件。 4. 工业控制设备:在需要高频响应和高可靠性的工业自动化系统中作为驱动或放大元件。 5. 消费类电子产品:例如高端音频设备或数字电视中用于信号处理的电路部分。 FDMA1430JP由于其优良的高频性能和稳定性,广泛应用于对性能要求较高的电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | FET/BJT NPN/P CH 30V 2.9A MICROFMOSFET P-Chan -30V -2.9A |
| 产品分类 | 晶体管 - 专用型分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 2.9 A |
| Id-连续漏极电流 | - 2.9 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMA1430JPPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDMA1430JP |
| Pd-PowerDissipation | 1.5 W |
| Pd-功率耗散 | 1.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 90 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 90 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 33 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | MicroFET 2x2 |
| 其它名称 | FDMA1430JPDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 107 ns |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 40 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | MicroFET-6 2x2 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 应用 | 负载开关 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 晶体管类型 | NPN,P 通道 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 11 S |
| 电压-额定 | 30V |
| 系列 | FDMA1430 |
| 额定电流 | 2.9A |