图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： FDJ128N
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDJ128N由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDJ128N价格参考。Fairchild SemiconductorFDJ128N封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDJ128N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDJ128N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDJ128N 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用SOT-23封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值为1.28Ω @ Vgs=10V）、小尺寸、高开关速度及良好的热稳定性。其额定电压为60V，连续漏极电流ID为200mA（Tc=25°C），适用于低压、小电流、空间受限的场景。 典型应用场景包括： - 便携式电子设备的电源管理：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的LED背光驱动、振动马达控制或USB接口过流保护开关； - 负载开关（Load Switch）：用于系统级电源域隔离，实现模块上电/断电时序控制与功耗优化； - 电池供电系统的保护电路：配合充电管理IC，作反向电流阻断或电池放电路径控制； - 低功耗信号切换：在传感器接口、微控制器GPIO扩展中用作逻辑电平转换或模拟开关（需注意其体二极管特性）； - DC-DC转换器次级侧同步整流（在微型升压/降压模块中，如为提高效率替代肖特基二极管，但需注意其电流能力限制）。 需注意：FDJ128N为小信号/中功率MOSFET，不适用于大电流或高功率主开关应用（如电机驱动主回路、大功率LED恒流源）。设计时应确保栅极驱动电压充足（推荐≥4.5V以充分导通），并考虑PCB散热与寄生参数影响。 综上，FDJ128N主要面向紧凑型、低功耗、高集成度的消费类及工业嵌入式系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 5.5A SC75-6 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDJ128N |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 543pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 35 毫欧 @ 5.5A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | SC-75 |
| 其它名称 | FDJ128NDKR |
| 功率-最大值 | 1.6W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC75-6 FLMP |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.5A （Ta） |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
FDJ128N 相关产品
(SN).jpg)
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商