Datasheet下载- 型号： FDI3652
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDI3652由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDI3652价格参考。Fairchild SemiconductorFDI3652封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDI3652参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDI3652 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDI3652 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款集成双N沟道增强型MOSFET芯片，采用SOT-363（SC-70-6）微型封装，内部包含两个独立、匹配良好的N沟道MOSFET（共源极结构），具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 3.5Ω @ VGS = 4.5V）、低栅极电荷及快速开关特性。 其典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备的电源管理：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的LED背光驱动、闪光灯控制或负载开关，利用其小尺寸和低功耗优势； ✅ 电池供电系统的负载切换与保护：在USB接口、电池充放电路径管理中实现高效、低损耗的电源通断控制； ✅ 逻辑电平转换与信号开关：适用于1.8V/3.3V等低压数字系统中，作为GPIO驱动的缓冲/隔离开关； ✅ DC-DC转换器辅助电路：如同步整流驱动、自举电路开关或PWM信号分配； ✅ 高可靠性消费类终端：因具备±8kV HBM ESD防护能力，适合对静电敏感的紧凑型产品。 需注意：FDI3652为逻辑电平MOSFET，推荐驱动电压≥2.5V以确保充分导通；不适用于大电流主功率开关（持续ID≤220mA），主要定位为信号级/小功率开关应用。设计时应关注PCB热焊盘散热及栅极驱动稳定性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 61A TO-262AA |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FDI3652 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2880pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 53nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 16 毫欧 @ 61A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-262AA |
| 功率-最大值 | 150W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 400 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9A （Ta）， 61A （Tc） |
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![](https://productimg.icgoo.net/product-img/3m_photos/FP-301 1" CR 100'.jpg)
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