Datasheet下载- 型号： FDD6632
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDD6632由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD6632价格参考。Fairchild SemiconductorFDD6632封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDD6632参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDD6632 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDD6632 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用TO-252（DPAK）封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值为18mΩ @ Vgs=10V，25mΩ @ Vgs=4.5V）、高电流能力（ID=17A连续，60A脉冲）及快速开关特性。 其主要应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换：广泛用于同步降压（Buck）转换器的下管（low-side switch），尤其适用于工业电源、通信设备及服务器电源模块中，配合控制器实现高效能功率调节。 ✅ 电机驱动：适用于中小功率直流电机（如风扇、泵、小型伺服）的H桥或单路驱动电路，逻辑电平兼容性（4.5V即可充分导通）便于直接由MCU或驱动IC驱动。 ✅ 负载开关与电源管理：在板级电源分配中用作热插拔保护、电池供电系统中的主电源开关或背光LED驱动的PWM调光开关。 ✅ 消费电子与家电：如打印机、POS机、智能家电的电源控制和接口保护电路。 该器件具备良好的雪崩耐量和ESD防护能力，工作结温范围宽（-55°C ~ +175°C），适合工业及严苛环境应用。需注意PCB布局时加强散热设计（如敷铜面积≥1cm²），并合理配置栅极驱动电阻以抑制振铃、优化EMI性能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 9A D-PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDD6632 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 255pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 70 毫欧 @ 9A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 15W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9A （Tc） |
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