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详细数据请看参考数据手册
- 型号： FDD5N50FTM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDD5N50FTM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD5N50FTM价格参考。Fairchild SemiconductorFDD5N50FTM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDD5N50FTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDD5N50FTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDD5N50FTM 是 Fairchild Semiconductor（现属ON Semiconductor）推出的N沟道增强型高压功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）表面贴装封装。其典型参数包括：VDSS = 500 V、ID（连续）= 4.5 A（TC=25°C）、RDS(on) ≈ 1.4 Ω（VGS=10 V），具备快速开关特性与内置ESD保护。 该器件主要应用于中等功率、高电压的DC-DC转换与离线式电源系统，典型场景包括： ✅ 小功率开关电源（如适配器、LED驱动电源）中的主开关管或PFC升压开关； ✅ 离线反激式（Flyback）或准谐振（QR）控制器的初级侧功率开关； ✅ 工业控制设备中的继电器替代/固态开关，用于控制交流负载（配合光耦/驱动IC）； ✅ 电机驱动模块（如小功率直流风机、步进电机细分驱动）中的H桥低端开关； ✅ 电池管理系统（BMS）中的充放电保护回路或高压隔离开关。 其TO-252封装适合自动化贴片生产，热性能优于SOT-223，但需注意PCB铜箔散热设计以保障高温下可靠工作。不适用于高频谐振拓扑（如LLC）或大电流（＞10A）应用——此时建议选用更低RDS(on)或更优封装（如TO-220）型号。 注：Fairchild品牌已整合至onsemi，该器件现由onsemi持续供货，数据手册及应用指南可于onsemi官网获取。
产品参数
图文手册
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