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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDB3652SB82059由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDB3652SB82059价格参考¥14.08-¥14.99。Fairchild SemiconductorFDB3652SB82059封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDB3652SB82059参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDB3652SB82059 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDB3652SB82059 是 Fairchild Semiconductor(现属安森美ON Semiconductor)推出的双通道N沟道逻辑电平MOSFET阵列,采用SO-8封装,内置两个匹配的低导通电阻(Rds(on)典型值约25 mΩ @ Vgs=4.5V)、高电流能力(连续漏极电流Id达12A/通道)的MOSFET。其典型应用场景包括: - 电池管理与保护电路:常用于两节或三节锂离子/聚合物电池组的充放电保护IC(如DW01、S-8261等)配套方案中,作为主充/放电路径的后级功率开关(即“充放电MOS”),实现过充、过放、过流及短路保护的硬件切断功能。 - 电源路径管理(Power Path Control):在便携式设备(如移动电源、POS机、蓝牙音箱)中,用于自动切换适配器供电与电池供电,支持边充边放(pass-through)功能。 - H桥驱动或半桥拓扑辅助开关:虽非专用驱动器,但可配合外部逻辑用于小功率DC电机正反转控制或LED调光中的同步整流开关。 - 负载开关(Load Switch):为系统子模块(如USB外设、传感器、射频模块)提供受控上电/断电,具备低静态电流和快速关断特性。 该器件集成度高、热性能优、驱动电压兼容3.3V/5V逻辑,适用于空间受限、需高可靠电源控制的消费电子与工业便携设备。注意:其型号后缀“B82059”多为厂内批次/封装标识,核心规格以FDB3652为准。