Datasheet下载- 型号： FDB24AN06LA0
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDB24AN06LA0由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDB24AN06LA0价格参考。Fairchild SemiconductorFDB24AN06LA0封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDB24AN06LA0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDB24AN06LA0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDB24AN06LA0 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用DPAK（TO-252）封装，具有60V耐压、24A连续漏极电流（Tc=25℃）、低导通电阻（Rds(on)典型值仅22mΩ @ Vgs=10V），并具备雪崩额定能力与高可靠性设计。 其典型应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换：广泛用于中功率开关电源（如服务器VRM、工业电源）的同步整流或主开关管； ✅ 电机驱动：适用于中小功率BLDC电机控制器、风扇/泵驱动中的H桥上/下臂开关； ✅ 负载开关与电源管理：在电池供电设备（如POS机、工业手持终端）中作高效电子保险丝或热插拔保护； ✅ LED照明驱动：用于恒流降压型LED驱动器的功率开关，支持PWM调光； ✅ 汽车电子辅助系统：符合AEC-Q101标准（该型号为车规级），可用于车身控制模块（BCM）、座椅调节、车窗升降等12V系统。 其低Qg（栅极电荷）和快速开关特性有助于提升系统效率、减小EMI，并简化驱动设计。搭配合适的栅极驱动器与散热设计，可在高频率（数十kHz至数百kHz）下稳定工作。需注意PCB布局中加强散热焊盘焊接，并确保Vgs驱动电压稳定（推荐10V以充分饱和）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 40A TO-263AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDB24AN06LA0 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1850pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 19 毫欧 @ 40A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-263AB |
| 功率-最大值 | 75W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.8A （Ta）， 40A （Tc） |
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