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- 型号： FDAF75N28
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDAF75N28由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDAF75N28价格参考。Fairchild SemiconductorFDAF75N28封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDAF75N28参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDAF75N28 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDAF75N28 是安森美（ON Semiconductor）推出的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进沟槽技术，具有低导通电阻（RDS(on) 典型值 9.5 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 75 A）和耐压达 280 V 的特点。其封装为 D2PAK（TO-263），具备优异热性能与可靠性。 典型应用场景包括： ✅ 工业电源系统：如开关电源（SMPS）、服务器/通信设备的DC-DC 转换器、PFC（功率因数校正）电路中的主开关管； ✅ 电机驱动：用于中功率无刷直流（BLDC）电机控制器、工业泵/风扇驱动等，可承受高频 PWM 开关与反向感性负载应力； ✅ 新能源应用：光伏逆变器中的 DC 侧开关、储能系统（ESS）中的电池管理与充放电控制模块； ✅ 汽车电子（AEC-Q101 认证版本需确认具体型号后缀）：部分衍生型号适用于车载辅助电源、电动座椅/车窗驱动等非安全关键系统（注：FDAF75N28 标准版为工业级，若用于车规场景须选用带“AEC-Q101”认证的对应型号，如 NVF75N28）。 该器件支持 4.5 V 以上驱动，兼容主流栅极驱动 IC，具备强抗雪崩能力与ESD防护，适用于高效率、高密度、中高功率（数十至百瓦级）的硬开关或软开关拓扑。 （字数：298）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 280V 46A TO-3PF |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FDAF75N28 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UniFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6700pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 144nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 41 毫欧 @ 23A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-3PF |
| 功率-最大值 | 215W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | SC-94 |
| 标准包装 | 360 |
| 漏源极电压(Vdss) | 280V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 46A （Tc） |
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