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- 型号： EMT1DXV6T1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供EMT1DXV6T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 EMT1DXV6T1价格参考。ON SemiconductorEMT1DXV6T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载EMT1DXV6T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有EMT1DXV6T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的EMT1DXV6T1是一款双极性晶体管（BJT）阵列，采用SOT-563封装（6引脚），内部集成两个独立的NPN晶体管（共发射极结构），具有匹配特性、低饱和电压（VCE(sat)典型值约0.15V @ IC=50mA）和高直流电流增益（hFE：120–470，@ IC=10mA）。其典型应用场景包括： 1. 小型信号开关与逻辑电平转换：适用于便携式设备（如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备）中的LED驱动、蜂鸣器控制、传感器接口等低功耗开关任务；支持1.8V/3.3V MCU直接驱动。 2. 负载切换与电源管理辅助电路：用于为外围模块（如Wi-Fi模组、传感器子系统）提供受控供电通路，配合主控实现功耗优化。 3. 差分放大/匹配放大前端：利用两晶体管参数一致性，构建简易电流镜、有源负载或差分对，常见于精密传感信号调理电路（如温度/压力传感器前端）。 4. 电机/继电器驱动缓冲级：作为预驱级，增强MCU输出能力，驱动中等电流（≤100mA）微型直流电机或固态继电器。 该器件具备ESD防护（HBM ≥2kV）、无卤素、符合RoHS标准，适合空间受限、强调可靠性和成本效益的消费电子及工业IoT终端。不适用于大功率、高频（>100MHz）或高压（>50V）场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS DUAL PNP 60V 100MA SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | EMT1DXV6T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 1mA，6V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 PNP（双） |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 频率-跃迁 | 140MHz |
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