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产品简介:
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DTA114EM3T5G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款预偏置双极性晶体管(BJT),属于数字晶体管的一种。它内部集成了基极偏置电阻,简化了外围电路设计,广泛应用于需要开关控制的场合。 该器件常用于以下应用场景: 1. 开关电路:适用于小功率负载的开关控制,如继电器、LED、小型电机等,因其内置偏置电阻,可直接由微控制器或逻辑电路驱动。 2. 逻辑电平转换:用于不同电压逻辑系统之间的信号转换,实现接口兼容。 3. 放大电路:虽然主要用于开关应用,但在低频、小信号放大电路中也可作为前置放大器使用。 4. 电源管理:在电池供电设备中用于负载切换,实现节能控制。 5. 工业控制:如PLC、传感器驱动电路中,作为信号放大或驱动元件。 6. 消费类电子产品:如手机、打印机、家电等产品中用于控制外围设备的通断。 该晶体管采用SOT-23封装,体积小、便于贴装,适合高密度PCB布局。由于其集成设计,有助于减少元件数量,提高系统可靠性。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS PREBIAS PNP 260MW SOT723开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor DTA114EM3T5G- |
数据手册 | |
产品型号 | DTA114EM3T5G |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 300µA, 10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 35 @ 5mA,10V |
产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
供应商器件封装 | SOT-723 |
其它名称 | DTA114EM3T5GOSDKR |
典型电阻器比率 | 1 |
典型输入电阻器 | 10 kOhms |
功率-最大值 | 260mW |
功率耗散 | 260 mW |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-723 |
封装/箱体 | SOT-723-3 |
峰值直流集电极电流 | 100 mA |
工厂包装数量 | 8000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 35, 60 |
系列 | DTA114EM3 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
集电极连续电流 | 0.1 A |
频率-跃迁 | - |