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  • 型号: DMS3016SSS-13
  • 制造商: Diodes Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DMS3016SSS-13由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMS3016SSS-13价格参考。Diodes Inc.DMS3016SSS-13封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DMS3016SSS-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMS3016SSS-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 30V 9.8A 8SOMOSFET DIOFET MOSFETN-CHAN ENH MDE SCHOT DIODE

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,肖特基,金属氧化物!

Id-ContinuousDrainCurrent

9.8 A

Id-连续漏极电流

9.8 A

品牌

Diodes Incorporated

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMS3016SSS-13-

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产品型号

DMS3016SSS-13

PCN其它

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

1.54 W

Pd-功率耗散

1.54 W

Qg-GateCharge

43 nC

Qg-栅极电荷

43 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

16 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

16 mOhms

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1849pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

43nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

13 毫欧 @ 9.8A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SO

其它名称

DMS3016SSS-13DIDKR

功率-最大值

1.54W

包装

Digi-Reel®

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SO-8

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

9.8A (Ta)

系列

DMS3016

通道模式

Enhancement

配置

Single with Schottky Diode

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