Datasheet下载- 型号： CY7C2568KV18-400BZC
- 制造商： Cypress Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C2568KV18-400BZC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C2568KV18-400BZC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C2568KV18-400BZC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C2568KV18-400BZC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C2568KV18-400BZC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C2568KV18-400BZC 是 Cypress Semiconductor Corp（现属英飞凌 Technologies）推出的一款高性能同步SRAM（静态随机存取存储器），属于QDR™ II+（Quad Data Rate II Plus）类型，容量为256Mb（16M × 18位），工作频率达400MHz（周期时间2.5ns），采用165-ball FBGA封装（BZC后缀）。 该器件主要面向对带宽、低延迟和确定性时序要求严苛的高端嵌入式与通信系统。典型应用场景包括： - 网络设备：高速路由器、交换机中的包缓冲、查找表（LUT）、队列管理及流量整形模块； - 电信基础设施：基站（如4G LTE/5G NR基带单元BBU）、光传输设备（OTN）中的FIFO缓存与数据流暂存； - 测试与测量仪器：逻辑分析仪、高速示波器的数据采集缓存，需连续高速读写与零等待周期； - 军事与航空电子：雷达信号处理、实时图像帧缓存等抗辐射加固（需配合工业级版本）场景； - FPGA协处理器接口：作为Xilinx或Intel FPGA的外部高速共享内存，支撑高吞吐数据交换（如通过QDR接口实现双端口并发读写）。 其QDR II+架构支持独立读/写端口、双沿采样及突发传输，显著提升有效带宽（理论峰值达3.2 GB/s），适用于需要纳秒级访问延迟与确定性响应的关键路径。需注意：该型号已进入Cypress产品停产（NRND）阶段，新设计建议评估英飞凌后续兼容方案（如PSRAM或新型QDR替代品）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 72MBIT 400MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C2568KV18-400BZC |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，DDR II+ |
| 存储容量 | 72M（4M x 18） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/cypress-semiconductor-qdr-extreme-sram/2805 |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 400MHz |
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