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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CY7C1911KV18-300BZC
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1911KV18-300BZC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1911KV18-300BZC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1911KV18-300BZC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1911KV18-300BZC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1911KV18-300BZC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1911KV18-300BZC 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的高性能同步双端口静态RAM（SRAM），属于存储器类别。该器件为1.8V供电、256K × 18位（4.5 Mbit）配置，具备300MHz时钟频率（即3.33ns周期）、低延迟、真正双向并行访问能力（两个独立端口可同时读/写不同地址），并集成仲裁逻辑与中断标志，支持无缝多处理器/主设备共享内存。 典型应用场景包括： 1. 通信基础设施：在高速网络设备（如交换机、路由器、基站基带单元）中用作数据包缓冲、FIFO扩展或协处理器间共享缓存； 2. 工业与嵌入式系统：用于多核DSP/FPGA与MCU之间的实时数据交换，例如运动控制、图像采集系统中的帧缓存协同； 3. 测试与测量设备：作为高速数据采集卡的暂存缓冲，满足ADC/DAC连续吞吐与实时分析需求； 4. 航空航天与国防电子：在雷达信号处理、航电总线桥接等对确定性延迟和高可靠性要求严苛的场景中，提供零等待、无冲突的双端口访问能力。 其-300BZC后缀表示商业级（0°C~70°C）、采用165-ball FBGA封装，兼顾密度与散热性能，适用于空间受限但需高带宽共享内存的嵌入式设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 18MBIT 300MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=49116 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1911KV18-300BZC |
| PCN组件/产地 | http://www.cypress.com/?docID=47156 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 其它名称 | CY7C1911KV18300BZC |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，QDR II |
| 存储容量 | 18M（2M x 9） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 300MHz |
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