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产品简介:
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CY7C1518KV18-333BZXI 是 Cypress Semiconductor Corp(现属英飞凌 Technologies)推出的一款高性能同步静态随机存取存储器(SSRAM),具体为 2Mb(128K × 18 位)流水线型 burst 模式 QDR SRAM,工作频率达 333 MHz(周期时间 3.0 ns),支持 1.8V 核心电压与 3.3V I/O(兼容性设计),工业级温度范围(–40°C 至 +85°C),封装为 165-ball FBGA。 其典型应用场景包括: - 高速网络设备:如路由器、交换机、防火墙中的包缓冲、队列管理及查找表(LUT)缓存,利用其低延迟、双数据速率(QDR)特性实现读写并发; - 通信基础设施:基站基带处理单元(BBU)、光传输设备(OTN/SDH)中用于信元/帧暂存、FIFO 缓冲及协议处理中间数据缓存; - 高端工业与测试仪器:实时信号采集系统、高速逻辑分析仪、ATE(自动测试设备)中需纳秒级访问响应的暂存区; - 嵌入式图像/视频处理:在 FPGA 或 DSP 协处理器旁作为高带宽帧缓存或系数存储,支撑多通道并行处理; - 军用/航空电子系统(因工业级温宽与高可靠性):雷达信号处理、航电总线桥接模块中的关键数据缓冲。 该器件不适用于大容量长期存储(非Flash/DRAM),而是面向对时序确定性、零等待状态访问和高吞吐(峰值带宽超 2.4 GB/s)有严苛要求的实时嵌入式场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 72MBIT 333MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=49102 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1518KV18-333BZXI |
| PCN组件/产地 | http://www.cypress.com/?docID=47156 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA(13x15) |
| 其它名称 | CY7C1518KV18333BZXI |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步,DDR II |
| 存储容量 | 72M(4M x 18) |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 333MHz |