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型号： CY7C1423BV18-250BZC
制造商： Cypress Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1423BV18-250BZC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1423BV18-250BZC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1423BV18-250BZC封装/规格：未分类，暂无。您可以下载CY7C1423BV18-250BZC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1423BV18-250BZC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CY7C1423BV18-250BZC 是赛普拉斯（现属英飞凌）推出的高性能同步SRAM（静态随机存取存储器），属于“存储器”类别。该器件为1.8V供电、256K × 18位（4.5Mb）的双端口/流水线同步SRAM，采用119-ball BGA封装（ZC后缀），工作频率达250MHz（tCLK = 4ns），支持突发读写与QDR-II+兼容时序。

典型应用场景包括：  
- 高速网络设备：如万兆以太网交换机、路由器中的数据包缓存、FIFO缓冲及查找表（LUT）暂存；  
- 通信基站与无线基础设施：在FPGA或ASIC旁用作低延迟、确定性访问的片外缓存，支撑基带处理、信道编码/解码中间数据暂存；  
- 测试测量仪器：高速逻辑分析仪、示波器中用于实时采集数据的大容量深度缓存；  
- 工业与军事嵌入式系统：对可靠性、温度范围（–40°C 至 +85°C）和抗辐射性有要求的实时控制单元，需零等待、纳秒级访问的本地存储；  
- 视频处理与图像采集卡：作为帧缓冲或行缓冲，满足高带宽（峰值达3.6GB/s）与低延迟需求。

其双字突发读写能力、可编程输出驱动强度及内置DLL确保时序精准，特别适合与FPGA（如Xilinx Ultrascale/Kintex、Intel Stratix系列）协同设计，弥补片内BRAM容量不足。注意：该型号已进入产品生命周期末期（EOL），新设计建议评估英飞凌推荐替代型号（如CY7C1423BV18-250BZI或更新QDR-IV系列）。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	集成电路 (IC)
描述	IC SRAM 36MBIT 250MHZ 165FBGA
产品分类	存储器
品牌	Cypress Semiconductor Corp
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	CY7C1423BV18-250BZC
rohs	含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	165-FBGA（15x17）
包装	托盘
存储器类型	SRAM - 同步，DDR II
存储容量	36M（2M x 18）
封装/外壳	165-LBGA
工作温度	0°C ~ 70°C
接口	并联
标准包装	105
格式-存储器	RAM
电压-电源	1.7 V ~ 1.9 V
速度	250MHz