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产品简介:
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CY7C1315CV18-250BZC 是 Cypress Semiconductor(现属英飞凌)推出的高性能同步SRAM,属于1.8V低电压、250MHz(4ns读取周期)、512K×18位(9Mb)的QDR-II+ SRAM。其主要应用场景包括: - 网络通信设备:广泛用于路由器、交换机、防火墙等高速数据包缓存与转发引擎中,凭借QDR-II+双数据速率(读/写独立端口、无总线竞争)特性,满足线速处理需求。 - 电信基础设施:在基站基带处理单元(BBU)、光传输设备(OTN/SDH)中用作FIFO缓冲、队列管理或临时数据暂存,支持确定性低延迟访问。 - 测试测量与高端仪器:如逻辑分析仪、高速示波器的数据采集缓存,依赖其稳定时序和高吞吐(峰值带宽达1.8 Gb/s)。 - 工业与军事嵌入式系统:适用于对可靠性、温度范围(–40°C 至 +85°C,工业级)及抗干扰能力要求严苛的实时控制与信号处理场景。 该器件采用165-ball BGA封装(BZC),支持JTAG边界扫描,符合RoHS标准,已停产但仍在部分工业/通信设备中延续使用(需注意供货与替代方案)。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 18MBIT 250MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1315CV18-250BZC |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA(13x15) |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步,QDR II |
| 存储容量 | 18M(512K x 36) |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 250MHz |