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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CY7C1313KV18-250BZI
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1313KV18-250BZI由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1313KV18-250BZI价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1313KV18-250BZI封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1313KV18-250BZI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1313KV18-250BZI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1313KV18-250BZI 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的高性能同步双端口静态RAM（SRAM），容量为72Mb（4M × 18位），支持250MHz时钟（4ns读/写周期），采用165-ball BGA封装，工业级温度范围（–40°C 至 +85°C），带“ZI”后缀表明其为无铅、符合RoHS的工业级器件。 该器件典型应用场景包括： 1. 高速数据缓冲与共享内存：在多处理器或FPGA+DSP协同系统中，作为双CPU/DSP间低延迟、无冲突的共享缓存，支持独立地址总线同时读写； 2. 通信设备：用于网络交换机、路由器的数据包缓存、FIFO管理及流量整形模块，满足高吞吐（达4.5GB/s带宽）和确定性时序需求； 3. 工业控制与测试仪器：在实时PLC、ATE（自动测试设备）中实现高速采样数据暂存与并行处理； 4. 军事/航空电子：凭借工业级温度特性和高可靠性，适用于雷达信号处理、航电数据总线桥接等严苛环境。 其双端口架构（两套独立地址/数据/控制总线）、可编程等待状态、中断标志及掉电保持模式，特别适合需实时双向数据交换且不容许总线仲裁延迟的关键嵌入式系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 18MBIT 250MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=49116 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1313KV18-250BZI |
| PCN组件/产地 | http://www.cypress.com/?docID=47156 |
| PCN过时产品 | http://www.cypress.com/?docID=44765 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 其它名称 | CY7C1313KV18250BZI |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，QDR II |
| 存储容量 | 18M（1M x 18） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 250MHz |
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