Datasheet下载- 型号： CY7C12451KV18-400BZXC
- 制造商： Cypress Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C12451KV18-400BZXC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C12451KV18-400BZXC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C12451KV18-400BZXC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C12451KV18-400BZXC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C12451KV18-400BZXC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C12451KV18-400BZXC 是 Cypress Semiconductor Corp（现属英飞凌 Technologies）推出的一款高性能同步静态随机存取存储器（SSRAM），具体为 1.8V 供电、1M × 18 位（18Mb）、400MHz（2.5ns 周期）的 QDR™ II+ SRAM。其典型应用场景包括： - 高速网络设备：广泛用于路由器、交换机、防火墙等的数据包缓冲、查找表（如TCAM辅助缓存）、FIB/ACL表暂存，满足线速转发对低延迟、高吞吐读写的需求； - 电信基础设施：在基站基带处理单元（BBU）、光传输设备（OTN/SDH）中用作DSP/FPGA的高速本地缓存或FIFO，支持突发模式读写与双数据速率访问； - 测试与测量仪器：为高速逻辑分析仪、示波器提供实时深度采集缓冲，利用QDR II+的独立读/写端口实现无缝连续采样与后台分析并行； - 高端工业与军事系统：适用于需确定性时序、宽温（-40°C ~ +85°C，工业级）、抗单粒子翻转（SEU）要求严苛的嵌入式控制与信号处理平台。 该器件采用165-ball FBGA封装（13×15mm），支持SSTL_18电平，具备可编程输出驱动强度、可选写掩码及多种省电模式，兼顾性能与功耗优化。注意：Cypress已于2020年被英飞凌收购，产品延续供货与技术支持，但品牌标识逐步过渡至Infineon。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 36MBIT 400MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C12451KV18-400BZXC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，QDR II+ |
| 存储容量 | 36M（1M x 36） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/cypress-semiconductor-qdr-extreme-sram/2805 |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 400MHz |
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