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  • 型号: CY7C11481KV18-400BZC
  • 制造商: Cypress Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C11481KV18-400BZC由Cypress Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C11481KV18-400BZC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C11481KV18-400BZC封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CY7C11481KV18-400BZC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CY7C11481KV18-400BZC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CY7C11481KV18-400BZC 是 Cypress Semiconductor(现属英飞凌 Technologies)推出的一款高性能同步SRAM(静态随机存取存储器),属于QDR™ II+(Quad Data Rate II Plus)类型,容量为18Mb(1M × 18位),工作频率达400MHz(200MHz时钟,双沿采样,有效数据率400MT/s),采用165-ball BGA封装(BZC后缀)。

其典型应用场景包括:  
🔹 高速网络设备:如核心路由器、交换机中的包缓冲、查找表(LUT)、FIB缓存及流量管理模块,得益于QDR-II+的独立读/写端口和低延迟特性;  
🔹 通信基础设施:基站基带处理单元(BBU)、CPRI/eCPRI接口、O-RAN前传/中传数据缓存,满足确定性低延迟与高吞吐需求;  
🔹 高性能计算与FPGA协处理:作为Xilinx或Intel FPGA的外部高速缓存或流数据暂存器,用于实时图像处理、雷达信号处理、金融高频交易加速等;  
🔹 工业与医疗成像系统:在超声、CT或数字X光设备中承担高速ADC/DAC数据流的实时缓存与帧缓冲;  
🔹 测试测量设备:逻辑分析仪、高速示波器的数据采集缓冲,支持连续高速采样与触发后深度回溯。

该器件支持工业级温度范围(–40°C 至 +85°C),具备可编程驱动强度、片上终端(ODT)及JTAG边界扫描,适用于对可靠性、时序精度和并行带宽要求严苛的嵌入式实时系统。需注意:Cypress已并入英飞凌,后续技术支持与供货由英飞凌承接。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)

描述

IC SRAM 18MBIT 400MHZ 165FBGA

产品分类

存储器

品牌

Cypress Semiconductor Corp

数据手册

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产品图片

产品型号

CY7C11481KV18-400BZC

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

165-FBGA(13x15)

包装

托盘

存储器类型

SRAM - 同步,DDR II+

存储容量

18M(1M x 18)

封装/外壳

165-LBGA

工作温度

0°C ~ 70°C

接口

并联

标准包装

136

格式-存储器

RAM

电压-电源

1.7 V ~ 1.9 V

速度

400MHz

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