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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CY7C1020BN-12VXC
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1020BN-12VXC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1020BN-12VXC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1020BN-12VXC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1020BN-12VXC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1020BN-12VXC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1020BN-12VXC是Cypress Semiconductor Corp（现属英飞凌）推出的高速CMOS静态RAM（SRAM），容量为128K×8位（1 Mbit），访问时间12 ns，采用3.3V供电，SOJ-32封装。 其主要应用场景包括： - 工业控制设备：用于PLC、运动控制器等需高可靠性和快速数据存取的实时系统； - 通信设备：在路由器、交换机、基站接口卡中作为缓存或帧缓冲，支持高速数据包处理； - 嵌入式系统与FPGA协处理器：常作为FPGA（如Xilinx/Altera）的外部高速数据缓存或配置缓冲，弥补片内RAM容量不足； - 测试测量仪器：数字示波器、逻辑分析仪等需高速采集并暂存大量采样数据的设备； - 军事与航空电子：因具备宽温（–40°C至+85°C）、抗干扰及成熟可靠性，适用于车载、机载等严苛环境下的关键缓存应用。 该器件不带内置电池或非易失性，属易失性存储器，需持续供电维持数据，因此适用于需要超低延迟读写、无需掉电保存的高性能中间缓存场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 512KBIT 12NS 44SOJ |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1020BN-12VXC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 44-SOJ |
| 包装 | 管件 |
| 存储器类型 | SRAM - 异步 |
| 存储容量 | 512K （32K x 16） |
| 封装/外壳 | 44-BSOJ |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 17 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 速度 | 12ns |
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