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  • 型号: CY14U256LA-BA35XI
  • 制造商: Cypress Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CY14U256LA-BA35XI由Cypress Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY14U256LA-BA35XI价格参考。Cypress SemiconductorCY14U256LA-BA35XI封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CY14U256LA-BA35XI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CY14U256LA-BA35XI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CY14U256LA-BA35XI 是英飞凌(Infineon Technologies)旗下的一款非易失性静态随机存取存储器(NVSRAM),容量为256Kb(32K × 8),采用35ns高速访问、工业级温度范围(–40°C 至 +85°C),封装为SOIC-32。  

该器件融合SRAM的高速读写性能与EEPROM/Flash的断电数据保持能力,无需外部电池或外部擦写管理电路,通过内部自动能量存储(内置电容+智能电源切换电路)实现“写即保存”。  

主要应用场景包括:  
- 工业自动化设备:PLC、运动控制器、HMI中用于保存运行参数、校准数据、故障日志等关键状态信息,确保意外断电时数据不丢失;  
- 通信基础设施:基站、交换机、光模块中存储配置信息、MAC地址表、FPGA配置缓存等需频繁读写且高可靠性的数据;  
- 医疗电子设备:如监护仪、输液泵,用于实时记录操作事件、报警历史及用户设置,满足IEC 62304安全要求;  
- 汽车电子(车载信息娱乐及车身控制模块):在符合AEC-Q100 Grade 2(本型号为工业级,部分客户经验证可用于车载非安全关键场景)前提下,存储用户偏好、系统诊断码(DTC)快照等;  
- 高可靠性嵌入式系统:替代传统带电池SRAM或需软件管理的EEPROM,简化BOM与固件设计,提升长期可靠性(典型数据保持达20年)。  

注:该型号已列入Infineon NVSRAM产品线,但英飞凌于2021年将原Cypress(赛普拉斯)存储器业务整合后,CY系列现归属Infineon品牌,技术延续性强。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)半导体

描述

IC NVSRAM 48FBGANVRAM 256Kb 1.95V 35ns nvSRAM

产品分类

存储器集成电路 - IC

品牌

Cypress Semiconductor

产品手册

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

内存,NVRAM,Cypress Semiconductor CY14U256LA-BA35XI-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

CY14U256LA-BA35XI

PCN组件/产地

http://www.cypress.com/?docID=48110

产品种类

NVRAM

供应商器件封装

48-FBGA(6x10)

包装

托盘

商标

Cypress Semiconductor

存储器类型

NVSRAM(非易失 SRAM)

存储容量

256 kB

安装风格

SMD/SMT

封装

Tray

封装/外壳

48-TFBGA

封装/箱体

FBGA-48

工作温度

-40°C ~ 85°C

工作温度范围

- 40 C to + 85 C

工作电压

1.95 V

工厂包装数量

299

接口

并联

接口类型

Parallel

数据总线宽度

8 bit

最大工作温度

+ 85 C

最小工作温度

- 40 C

标准包装

299

格式-存储器

RAM

电压-电源

2.7 V ~ 3.6 V

电源电压-最大

3.6 V

电源电压-最小

2.7 V

系列

CY14U256LA

组织

32 k x 8

访问时间

35 ns

速度

35ns

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