图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CY14U256LA-BA35XI由Cypress Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY14U256LA-BA35XI价格参考。Cypress SemiconductorCY14U256LA-BA35XI封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CY14U256LA-BA35XI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CY14U256LA-BA35XI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY14U256LA-BA35XI 是英飞凌(Infineon Technologies)旗下的一款非易失性静态随机存取存储器(NVSRAM),容量为256Kb(32K × 8),采用35ns高速访问、工业级温度范围(–40°C 至 +85°C),封装为SOIC-32。 该器件融合SRAM的高速读写性能与EEPROM/Flash的断电数据保持能力,无需外部电池或外部擦写管理电路,通过内部自动能量存储(内置电容+智能电源切换电路)实现“写即保存”。 主要应用场景包括: - 工业自动化设备:PLC、运动控制器、HMI中用于保存运行参数、校准数据、故障日志等关键状态信息,确保意外断电时数据不丢失; - 通信基础设施:基站、交换机、光模块中存储配置信息、MAC地址表、FPGA配置缓存等需频繁读写且高可靠性的数据; - 医疗电子设备:如监护仪、输液泵,用于实时记录操作事件、报警历史及用户设置,满足IEC 62304安全要求; - 汽车电子(车载信息娱乐及车身控制模块):在符合AEC-Q100 Grade 2(本型号为工业级,部分客户经验证可用于车载非安全关键场景)前提下,存储用户偏好、系统诊断码(DTC)快照等; - 高可靠性嵌入式系统:替代传统带电池SRAM或需软件管理的EEPROM,简化BOM与固件设计,提升长期可靠性(典型数据保持达20年)。 注:该型号已列入Infineon NVSRAM产品线,但英飞凌于2021年将原Cypress(赛普拉斯)存储器业务整合后,CY系列现归属Infineon品牌,技术延续性强。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| 描述 | IC NVSRAM 48FBGANVRAM 256Kb 1.95V 35ns nvSRAM |
| 产品分类 | 存储器集成电路 - IC |
| 品牌 | Cypress Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 内存,NVRAM,Cypress Semiconductor CY14U256LA-BA35XI- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CY14U256LA-BA35XI |
| PCN组件/产地 | http://www.cypress.com/?docID=48110 |
| 产品种类 | NVRAM |
| 供应商器件封装 | 48-FBGA(6x10) |
| 包装 | 托盘 |
| 商标 | Cypress Semiconductor |
| 存储器类型 | NVSRAM(非易失 SRAM) |
| 存储容量 | 256 kB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tray |
| 封装/外壳 | 48-TFBGA |
| 封装/箱体 | FBGA-48 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 工作温度范围 | - 40 C to + 85 C |
| 工作电压 | 1.95 V |
| 工厂包装数量 | 299 |
| 接口 | 并联 |
| 接口类型 | Parallel |
| 数据总线宽度 | 8 bit |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 299 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 电源电压-最大 | 3.6 V |
| 电源电压-最小 | 2.7 V |
| 系列 | CY14U256LA |
| 组织 | 32 k x 8 |
| 访问时间 | 35 ns |
| 速度 | 35ns |