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  • 型号: CY14B104N-BA45XI
  • 制造商: Cypress Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CY14B104N-BA45XI由Cypress Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY14B104N-BA45XI价格参考。Cypress SemiconductorCY14B104N-BA45XI封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CY14B104N-BA45XI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CY14B104N-BA45XI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CY14B104N-BA45XI 是 Cypress Semiconductor Corp(现属英飞凌科技)推出的 4-Mbit(512K × 8)非易失性静态RAM(nvSRAM),采用SOIC-44封装,工作温度范围为–40°C 至 +85°C(工业级),支持45ns快速访问。

其核心应用场景聚焦于需断电数据零丢失、高写入耐久性及无需电池/外部电容备份的实时关键系统。典型应用包括:  
✅ 工业自动化设备:PLC、运动控制器、CNC系统中保存运行参数、校准数据、故障日志等,确保意外断电时最新状态即时固化;  
✅ 网络与通信设备:路由器、交换机、基站中的配置寄存器、会话表、计数器等高频读写变量的实时非易失存储;  
✅ 医疗电子设备:监护仪、输液泵等对数据完整性要求严苛的场景,用于记录操作事件、报警历史和患者设置;  
✅ 智能电表与能源管理系统:存储累计用电量、费率切换时间、断电记录等法规要求的不可篡改数据;  
✅ 汽车电子(符合AEC-Q100 Grade 2的变体适用):车载T-Box、ADAS控制单元中暂存诊断信息与配置快照(注:本型号为工业级,车规应用需确认具体版本)。

优势在于:无限次读写(无Flash擦写寿命限制)、上电即用、无需外部电源或超级电容维持、写入延迟确定(≤45ns),显著提升系统可靠性与设计简洁性。适用于对数据安全、实时性和长期稳定性有严苛要求的嵌入式系统。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)

描述

IC NVSRAM 4MBIT 45NS 48FBGA

产品分类

存储器

品牌

Cypress Semiconductor Corp

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

CY14B104N-BA45XI

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

48-FBGA(6x10)

包装

管件

存储器类型

NVSRAM(非易失 SRAM)

存储容量

4M (256K x 16)

封装/外壳

48-TFBGA

工作温度

-40°C ~ 85°C

接口

并联

标准包装

299

格式-存储器

RAM

电压-电源

2.7 V ~ 3.6 V

速度

45ns

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