【未分类_CY14B104N-BA25XI】封装/厂家_CY14B104N-BA25XI中文资料_价格

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型号： CY14B104N-BA25XI
制造商： Cypress Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供CY14B104N-BA25XI由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY14B104N-BA25XI价格参考。Cypress SemiconductorCY14B104N-BA25XI封装/规格：未分类，暂无。您可以下载CY14B104N-BA25XI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY14B104N-BA25XI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CY14B104N-BA25XI 是 Cypress Semiconductor Corp（现属英飞凌科技）推出的 4-Mbit（512K × 8）非易失性静态RAM（nvSRAM），采用“自动存储（AutoStore）”技术，无需外部电池即可在断电时将SRAM数据无缝、可靠地保存至内部EEPROM中。

其典型应用场景包括：  
✅ 工业自动化设备——如PLC、运动控制器、HMI人机界面，需在突发断电时瞬时保存运行参数、计数器状态或故障日志；  
✅ 通信基础设施——基站、交换机、路由器中的配置寄存器、MAC地址表或会话缓存，要求高速读写（25 ns访问时间）与断电数据零丢失；  
✅ 医疗电子设备——如监护仪、输液泵，用于存储关键患者设置、校准数据及事件时间戳，满足高可靠性与功能安全要求；  
✅ 汽车电子（符合AEC-Q100 Grade 3）——车载仪表盘、ADAS模块中暂存实时传感器校准值或故障码（DTC），支持宽温工作（–40°C 至 +85°C）；  
✅ 金融终端——POS机、ATM的交易缓冲区，保障交易数据在断电瞬间不丢失，满足金融级数据完整性需求。

该器件兼具SRAM的速度优势与EEPROM的非易失性，免除电池更换维护，简化系统设计，广泛应用于对数据可靠性、实时性和长寿命有严苛要求的嵌入式系统中。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	集成电路 (IC)
描述	IC NVSRAM 4MBIT 25NS 48FBGA
产品分类	存储器
品牌	Cypress Semiconductor Corp
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	CY14B104N-BA25XI
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	48-FBGA（6x10）
包装	管件
存储器类型	NVSRAM（非易失 SRAM）
存储容量	4M （256K x 16）
封装/外壳	48-TFBGA
工作温度	-40°C ~ 85°C
接口	并联
标准包装	299
格式-存储器	RAM
电压-电源	2.7 V ~ 3.6 V
速度	25ns