Datasheet下载- 型号： CY14B101LA-SP25XIT
- 制造商： Cypress Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY14B101LA-SP25XIT由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY14B101LA-SP25XIT价格参考。Cypress SemiconductorCY14B101LA-SP25XIT封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY14B101LA-SP25XIT参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY14B101LA-SP25XIT 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY14B101LA-SP25XIT 是 Cypress Semiconductor Corp. 生产的一款非易失性存储器（NVM），属于串行 SPI FRAM（Ferroelectric Random Access Memory，铁电随机存取存储器）产品线。以下是其主要应用场景： 1. 工业自动化 - 数据记录：在工业设备中，FRAM 可用于实时记录传感器数据、运行状态和故障信息，即使在断电情况下也能保存数据。 - 配置存储：存储设备参数、校准数据或用户设置，确保设备重启后能够快速恢复到之前的配置。 2. 医疗设备 - 患者数据存储：在便携式医疗设备（如血糖仪、心率监测仪）中，FRAM 可以快速存储患者的测量数据，支持高频率写入且无需额外的电池备份。 - 日志记录：记录设备操作日志、警报事件和维护信息，便于后续分析和故障排查。 3. 消费电子 - 智能家电：在智能家居设备（如洗衣机、空调）中，FRAM 用于存储用户的个性化设置、使用习惯和诊断信息。 - 游戏设备：存储游戏进度、分数和配置文件，提供更快的读写速度和更高的耐用性。 4. 物联网 (IoT) - 边缘计算设备：在 IoT 网关或传感器节点中，FRAM 用于缓存和存储传感器数据，支持频繁写入和低功耗操作。 - 数据缓冲：在网络连接中断时，FRAM 可作为临时存储介质，确保数据不会丢失。 5. 汽车电子 - 驾驶数据记录：在行车记录仪或 ADAS（高级驾驶辅助系统）中，FRAM 用于存储关键驾驶数据和事件记录。 - 配置与校准：存储车辆系统的校准参数和用户偏好设置，提高系统的可靠性和响应速度。 6. 计量与能源管理 - 智能电表：FRAM 用于存储用电量数据、时间戳和报警信息，支持高频写入和长期保存。 - 能量监控：在太阳能逆变器或其他能源管理系统中，记录能量生产、消耗和分配数据。 7. 金融与支付终端 - 交易记录：在 POS 机或其他支付终端中，FRAM 用于快速存储交易数据，确保在断电或网络故障时数据不丢失。 - 安全日志：记录设备的安全事件和访问日志，增强系统的安全性。 CY14B101LA-SP25XIT 的优势在于其高速读写能力、高耐久性（可承受超过 10^12 次写入/擦除周期）以及低功耗特性，使其非常适合需要频繁数据存储和高可靠性的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC NVSRAM 1MBIT 25NS 48SSOP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=40139 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY14B101LA-SP25XIT |
| PCN封装 | http://www.cypress.com/?docID=47155 |
| PCN组件/产地 | http://www.cypress.com/?docID=47158http://www.cypress.com/?docID=47157http://www.cypress.com/?docID=48110http://www.cypress.com/?docID=48115http://www.cypress.com/?docID=48124 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 48-SSOP |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 存储器类型 | NVSRAM（非易失 SRAM） |
| 存储容量 | 1M （128K x 8） |
| 封装/外壳 | 48-BSSOP（0.295"，7.50mm 宽） |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 25ns |
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